规格书 |
NTD4909N |
文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 17.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1314pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.37W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
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